MEM2318典型应用：
• 电源设备 »» 电池保护
• 电源设备 »» 电源管理
• 电源设备 »» 负载开关
• 变频/控制/驱动电路 »» 低功率DC/DC转换
• 计算机/显示器 »» 液晶显示器

MEM2318描述:
MEM2318系列双N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2318高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2318适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。

MEM2318特点:
• 20V/6A
• RDS(ON) =18mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A
• RDS(ON) =19mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
• 超大密度单元、极小的RDS(ON)）
• 贴片封装：TSSOP-8
• ESD保护：3000V
• 封装形式：TSSOP8,SOT-23-6

MEM2318技术参数：
• MEM2318 20V 6A 双N沟道增强型 ESD保护 MOSFET
• 双N沟道增强型金属氧化物半导体场效应管
• 采用高单元密度等DMOS沟道技术
• ESD保护：3000V
• 漏源电压VDS：20V
• 栅源电压VGS：±12V
• 漏极电流ID：6A
• 输入阻抗RDS(on)：18mΩ@VGS=4.5V,ID=6A
• 输入阻抗RDS(on)：19mΩ@VGS=3.85V,ID=5A
• 输入电容Ciss：1120pF (VDS=8V,VGS=0V, f=1MHz)
• 输出电容Coss：480pF (VDS=8V,VGS=0V, f=1MHz)
• 反馈电容Crss：110pF (VDS=8V, VGS=0V, f=1MHz)
• 最大耗散功率PD：2W
• 贮存温度Tstg：-65℃~150℃
• 替换参考：SI6968BEDQ
• 封装形式：SOT23-6,TSSOP8

MEM2318应用领域：
• 笔记本电脑等电源管理和其他电池等电源管理，
• 便携式设备
• DC/DC转换
• 负载开关，电池保护
• LCD显示适配器

MEM2318选型指南：
• MEM2318FG TSSOP8封装
• MEM2318M6G SOT23-6封装

MEM2318替换参考：
• SI6968BEDQ

MEM2318应用:
• 笔记本电池管理
• 便携式设备
• 电池电源系统
• DC/DC转换
• 负载开关
• LCD显示适配器

南京微盟MOS管产品列表：