MEM2318裕鼎祥咨询电话：139 2843 4054
MEM2318典型应用：
• 电源设备 »» 电池保护
• 电源设备 »» 电源管理
• 电源设备 »» 负载开关
• 变频/控制/驱动电路 »» 低功率DC/DC转换
• 计算机/显示器 »» 液晶显示器
MEM2318描述:
MEM2318系列双N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2318高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2318适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
MEM2318特点:
• 20V/6A
• RDS(ON) =18mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A
• RDS(ON) =19mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
• 超大密度单元、极小的RDS(ON)）
• 贴片封装：TSSOP-8
• ESD保护：3000V
• 封装形式：TSSOP8,SOT-23-6
MEM2318技术参数：
• MEM2318 20V 6A 双N沟道增强型 ESD保护 MOSFET
• 双N沟道增强型金属氧化物半导体场效应管
• 采用高单元密度等DMOS沟道技术
• ESD保护：3000V
• 漏源电压VDS：20V
• 栅源电压VGS：±12V
• 漏极电流ID：6A
• 输入阻抗RDS(on)：18mΩ@VGS=4.5V,ID=6A
• 输入阻抗RDS(on)：19mΩ@VGS=3.85V,ID=5A
• 输入电容Ciss：1120pF (VDS=8V,VGS=0V, f=1MHz)
• 输出电容Coss：480pF (VDS=8V,VGS=0V, f=1MHz)
• 反馈电容Crss：110pF (VDS=8V, VGS=0V, f=1MHz)
• 最大耗散功率PD：2W
• 贮存温度Tstg：-65℃~150℃
• 替换参考：SI6968BEDQ
• 封装形式：SOT23-6,TSSOP8
MEM2318应用领域：
• 笔记本电脑等电源管理和其他电池等电源管理，
• 便携式设备
• DC/DC转换
• 负载开关，电池保护
• LCD显示适配器
MEM2318选型指南：
• MEM2318FG TSSOP8封装
• MEM2318M6G SOT23-6封装
MEM2318应用:
• 笔记本电池管理
• 便携式设备
• 电池电源系统
• DC/DC转换
• 负载开关
• LCD显示适配器
南京微盟MOS管产品列表：
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产品名称
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通道
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VDS(Max)
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VGS
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ID电流
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导通电阻
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封装形式
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NMOS
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20V
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10V
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5A
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23mΩ
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SOP8
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PMOS
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－20V
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-8V
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-3.1A
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100mΩ
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SOT23
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|
PMOS
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-30V
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-12V
|
-4.3V
|
50mΩ
|
SOT23
|
|
|
NMOS
|
30V
|
12V
|
5.7A
|
32mΩ
|
SOT23
|
|
|
PMOS
|
-30V
|
-20V
|
-4.3A
|
78mΩ
|
SOT23
|
|
|
PMOS
|
-30V
|
-20V
|
-6A
|
53mΩ
|
SOP8/SOT89
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PMOS
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－30V
|
－20V
|
－6A
|
53mΩ
|
SOP8
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|
NMOS
|
20V
|
8V
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3A
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29mΩ
|
SOT23
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NMOS
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20V
|
12V
|
6A
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20mΩ
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TSSOP8/SOT26
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|
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NMOS
|
20V
|
12V
|
6A
|
19mΩ
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TSSOP8/SOT26
|
