MEM2311特点:
• -30V/-6A
• RDS(ON) =52mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A
• RDS(ON) =67mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A
• 超大密度单元、极小的RDS(ON)）
• 采用SOP8封装
 

MEM2311描述:
MEM2311系列双P沟道增强型功率场效应（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2311高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2311适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。

MEM2311SG技术参数
• MEM2311SG 30V 6A 双P沟道增强型 MOSFET
• 双P沟道增强型
• 采用高单元密度等DMOS沟道技术
• 漏源电压VDS：-30V
• 栅源电压VGS：±20V
• 漏极电流ID：-6A
• 输入阻抗RDS(on)：52mΩ@VGS=-10V,ID=-6A
• 输入阻抗RDS(on)：67mΩ@VGS=-4.5V,ID=-4.0A
• 输入电容Ciss：530pF (VDS=-15V,VGS=0V, f=1MHz)
• 输出电容Coss：140pF (VDS=-15V,VGS=0V, f=1MHz)
• 反馈电容Crss：70pF (VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz)
• 最大耗散功率PD：1W
• 贮存温度Tstg：-65℃~150℃
• 替换参考：FDS9435,SDM9435A
• 封装形式：SOP8



MEM2311SG替换参考：
FDS9435，SDM9435A
 

MEM2311选型指南：
MEM2311SG SOP8

南京微盟MOS管产品列表：