【MEM2311】_MEM2311电路_MEM2311封装_MEM2311功能
MEM2311裕鼎祥咨询电话：139 2843 4054
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MEM2311特点:
• -30V/-6A
• RDS(ON) =52mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A
• RDS(ON) =67mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A
• 超大密度单元、极小的RDS(ON)）
• 采用SOP8封装
MEM2311描述:
MEM2311系列双P沟道增强型功率场效应（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2311高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2311适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
MEM2311SG技术参数
• MEM2311SG 30V 6A 双P沟道增强型 MOSFET
• 双P沟道增强型
• 采用高单元密度等DMOS沟道技术
• 漏源电压VDS：-30V
• 栅源电压VGS：±20V
• 漏极电流ID：-6A
• 输入阻抗RDS(on)：52mΩ@VGS=-10V,ID=-6A
• 输入阻抗RDS(on)：67mΩ@VGS=-4.5V,ID=-4.0A
• 输入电容Ciss：530pF (VDS=-15V,VGS=0V, f=1MHz)
• 输出电容Coss：140pF (VDS=-15V,VGS=0V, f=1MHz)
• 反馈电容Crss：70pF (VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz)
• 最大耗散功率PD：1W
• 贮存温度Tstg：-65℃~150℃
• 替换参考：FDS9435,SDM9435A
• 封装形式：SOP8
MEM2311SG替换参考：
FDS9435，SDM9435A
南京微盟MOS管产品列表：
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产品名称
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通道
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VDS(Max)
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VGS
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ID电流
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导通电阻
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封装形式
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NMOS
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20V
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10V
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5A
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23mΩ
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SOP8
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PMOS
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－20V
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-8V
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-3.1A
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100mΩ
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SOT23
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|
PMOS
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-30V
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-12V
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-4.3V
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50mΩ
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SOT23
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|
NMOS
|
30V
|
12V
|
5.7A
|
32mΩ
|
SOT23
|
|
|
PMOS
|
-30V
|
-20V
|
-4.3A
|
78mΩ
|
SOT23
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|
|
PMOS
|
-30V
|
-20V
|
-6A
|
53mΩ
|
SOP8/SOT89
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|
PMOS
|
－30V
|
－20V
|
－6A
|
53mΩ
|
SOP8
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|
NMOS
|
20V
|
8V
|
3A
|
29mΩ
|
SOT23
|
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|
NMOS
|
20V
|
12V
|
6A
|
20mΩ
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TSSOP8/SOT26
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|
NMOS
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20V
|
12V
|
6A
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19mΩ
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TSSOP8/SOT26
|
