MEM8205特点:
• 20V/6A
• RDS(ON) =20mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A
• RDS(ON) =21mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
• RDS(ON) =26mΩ@ VGS=2.5V,ID=4A
• 超大密度单元、极小的RDS(ON))
• 两种封装:TSSOP8、SOT23-6
MEM8205描述:
MEM8205系列共漏极N沟道增强型功率场效应(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM8205高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM8205适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
MEM8205应用:
• 笔记本电池管理
• 便携式设备
• 电池电源系统
• DC/DC转换
• 负载开关
• LCD显示适配器
南京微盟MOS管产品列表:
产品名称
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通道
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VDS(Max)
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VGS
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ID电流
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导通电阻
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封装形式
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NMOS
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20V
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10V
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5A
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23mΩ
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SOP8
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PMOS
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-20V
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-8V
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-3.1A
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100mΩ
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SOT23
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|
PMOS
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-30V
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-12V
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-4.3V
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50mΩ
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SOT23
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NMOS
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30V
|
12V
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5.7A
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32mΩ
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SOT23
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|
PMOS
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-30V
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-20V
|
-4.3A
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78mΩ
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SOT23
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|
PMOS
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-30V
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-20V
|
-6A
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53mΩ
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SOP8/SOT89
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PMOS
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-30V
|
-20V
|
-6A
|
53mΩ
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SOP8
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NMOS
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20V
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8V
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3A
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29mΩ
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SOT23
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NMOS
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20V
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12V
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6A
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20mΩ
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TSSOP8/SOT26
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NMOS
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20V
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12V
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6A
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19mΩ
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TSSOP8/SOT26
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