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MEM2302特点:
• 20V/3A
• RDS(ON) =29mΩ@VGS=4.5V，ID=3A
• RDS(ON) =36mΩ@VGS=2.5V，ID=2A
• 超大密度单元、极小的RDS(ON)）
• 超小封装：SOT23
MEM2302描述:
MEM2302系列N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2302高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2302XG适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路,这种低损耗可采用小尺寸封装。
MEM2302技术参数：
• MEM2302 20V 3A N沟道增强型 MOSFET
• N沟道增强型
• 采用高单元密度等DMOS沟道技术
• 漏源电压VDS：20V
• 栅源电压VGS：±8V
• 漏极电流ID：3A
• 输入阻抗RDS(on)：29mΩ@VGS=4.5V,ID=3A
• 输入阻抗RDS(on)：36mΩ@VGS=2.5V,ID=2A
• 输入电容Ciss：300pF (VDS=10V,VGS=0V, f=1MHz)
• 输出电容Coss：120pF (VDS=10V,VGS=0V, f=1MHz)
• 反馈电容Crss：80pF (VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz)
• 最大耗散功率PD：700mW
• 贮存温度Tstg：-65℃~150℃
• 替换参考：FDS9435,SDM9435A
• 封装形式：SOT23-3L
• 应用领域：MEM2311适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑等电源管理和其他电池等电源管理，高速开关，低功率DCDC转换
• 选型指南：MEM2302M3G SOT23-3L、MEM2302XG SOT23
MEM2302替换参考：
• FDS9435，SDM9435A
MEM2302典型应用：
• 变频/控制/驱动电路 »» 低功率DC/DC转换
• 变频/控制/驱动电路 »» 高速开关
• 电源设备 »» 电源管理
MEM2302应用:
• 电池电源管理
• 高速开关
• 低功率DC/DC转换
南京微盟MOS管产品列表：
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产品名称
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通道
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VDS(Max)
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VGS
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ID电流
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导通电阻
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封装形式
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NMOS
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20V
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10V
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5A
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23mΩ
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SOP8
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PMOS
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－20V
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-8V
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-3.1A
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100mΩ
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SOT23
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|
PMOS
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-30V
|
-12V
|
-4.3V
|
50mΩ
|
SOT23
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|
NMOS
|
30V
|
12V
|
5.7A
|
32mΩ
|
SOT23
|
|
|
PMOS
|
-30V
|
-20V
|
-4.3A
|
78mΩ
|
SOT23
|
|
|
PMOS
|
-30V
|
-20V
|
-6A
|
53mΩ
|
SOP8/SOT89
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|
PMOS
|
－30V
|
－20V
|
－6A
|
53mΩ
|
SOP8
|
|
|
NMOS
|
20V
|
8V
|
3A
|
29mΩ
|
SOT23
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NMOS
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20V
|
12V
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6A
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20mΩ
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TSSOP8/SOT26
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|
|
NMOS
|
20V
|
12V
|
6A
|
19mΩ
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TSSOP8/SOT26
|
